8T комірка пам’яті регістрового файлу для технологій 180 нм із низькою напругою живлення

Автор(и)

  • Олександр Груданов Silvaco Ukraine LLC, Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347023100059

Анотація

Це дослідження присвячено методу визначення розмірів транзисторів 8- транзисторної (8T) комірки регістрового файлу статичної пам’яті RFRAM (Register File Static Random Access Memory, інша назва оперативно-запам’ятовуючи пристрій, ОЗП) для створення двопортових регістрових файлів і двопортових SRAM із зниженою напругою живлення для зменшення споживаної потужності. Цей метод може бути застосовно для 6-транзисторних (6Т) комірок однопортових статичних SRAM (Static Random Access Memory) [14]. Метод заснований на аналізі так званих батерфляй кривих (БК) [1-3, 7-9] (butterfly сurves)  та пошуку таких величин розмірів транзисторів та їх розкиду порогових напруг, при яких для заданої критичної мінімальної напруги живлення досягається умова для БК існування одного перетину та одного дотику її кривих. Проведено порівняння отриманих зразків пам'яті у кремнії та її критичної напруги з результатами моделювання схеми в режимі запису та читання залежно від напруги живлення. Експериментальні зразки пам'яті, що були виготовлені на фабриці TSMC за проектними нормами 180 нм, успішно пройшли тестування за напруги 0,75-1,8 В.

Опубліковано

2024-05-02

Як цитувати

Груданов, О. (2024). 8T комірка пам’яті регістрового файлу для технологій 180 нм із низькою напругою живлення. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка. https://doi.org/10.20535/S0021347023100059

Номер

Розділ

Оригінальні статті