Температурний дрейф спектральної чутливості кремнієвого фотодіода

Автор(и)

  • Андрій Олександрович Воронько Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут ім. Ігоря Сікорського", Ukraine https://orcid.org/0000-0003-2899-963X
  • Денис Олександрович Новіков Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут ім. Ігоря Сікорського", Ukraine https://orcid.org/0000-0001-5160-7214
  • Олександр Бенедиктович Шимановський ЦКБ Ритм, Ukraine https://orcid.org/0009-0007-8436-7051

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134702302005X

Анотація

Технічні характеристики напівпровідникових приладів здебільшого визначаються якістю гетероструктур, які використовують для їхнього виготовлення. Для отримання відтворюваних характеристик приладів необхідне забезпечення умов росту напівпровідникової структури з мінімальною кількістю дефектів. Для прецизійного контролю температури поверхні активних шарів твердих розчинів А3В5 під час проведення газофазної епітаксії з металоорганічних сполук (ГФЕ МОС) використовують метод оптичної пірометрії. Оскільки рельєф та параметри поверхні при осадженні значно змінюються, використовується метод пірометрії з компенсацією випромінювання. Даний метод поєднує в собі вимірювання випромінювання поверхні пластини та її відбивальної здатності. Це дає можливість визначити істинне значення температури поверхні та товщину шару в реальному часі. В даних системах контролю в якості чутливого елемента використовуються кремнієві фотодіоди через хорошу стабільність їхніх параметрів. Але в той же час вони схильні до зміни ампер-ватної чутливості в ближньому інфрачервоному діапазоні під впливом зовнішньої температури. В даній статті розглядається вплив зміни температури кремнієвого фотодіода на його ампер-ватну чутливість, і, відповідно на точність вимірювання реальної температури сучасними пірометричними системами.

Біографія автора

Денис Олександрович Новіков, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут ім. Ігоря Сікорського"

Факультет електроніки (ФЕЛ), кафедра мікроелектроніки (МЕ)

Опубліковано

2023-08-14

Як цитувати

Воронько, А. О., Новіков, Д. О., & Шимановський, О. Б. (2023). Температурний дрейф спектральної чутливості кремнієвого фотодіода. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка. https://doi.org/10.20535/S002134702302005X

Номер

Розділ

Оригінальні статті