Замечания

Анотація

В статье Т. М. Агаханяна, Б. И. Кононова, И. П. Степаненко [1] поднят очень важный вопрос о создании в новой бурно развивающейся отрасли радиотехники более или менее строгой терминологии. Время решения этого вопроса, бесспорно, наступило, т. к. в многочисленных печатных работах и на конференциях по полупроводникам в настоящее время царит необычайное (для технических наук) разнообразие в терминах, отражающих одни и те же физические процессы, явления, элементы и т. д.

Это необходимо, сделать и с методической точки зрения, поскольку во многих вузах читаются курсы (или разделы в курсах) по полупроводниковой технике.

Авторы этого письма почти целиком согласны с предлагаемой терминологией, используемой большинством авторов и лекторов и проверенной на практике. Однако мы не считаем возможным согласиться с некоторыми терминами, предлагаемыми вышеупомянутыми авторами.

1. По нашему мнению, термин транзистор является чрезвычайно удобным для обозначения одного лишь класса полупроводниковых приборов — управляемых (триоды, тетроды и т. д.), что же касается полупроводниковых диодов (выпрямительных, детекторных, смесительных), то за ними следует оставить старое название.

Термины, заимствованные из последних зарубежных работ, транзистроны и стереотроны являются неудобными и практически не нашли использования в отечественной литературе.

2. Мы не согласны также с термином плоский переход. На наш взгляд, удобнее оставить название плоскостной переход, тем более, что все полупроводниковые диоды и транзисторы предлагается разделять на точечные и плоскостные. Целесообразнее эту же терминологию распространить и на р-п переходы.

3. Говоря о токе насыщения диода /₀ и температурном токе коллектора /_ко для транзисторов, следует подчеркнуть одну и ту же физическую причину этих токов. Поэтому имеет смысл применить по отношению к току /₀ диодов удачно предложенное прилагательное температурный (по аналогии с /_ко) и называть температурный ток насыщения /₀.

4. Внутреннюю обратную связь коллекторной и эмиттерной цепей целесообразно характеризовать сопротивлением обратной связи Гбд, а не коэффициентом диффузионной обратной связи у._эк-

5. Особо следует остановиться на параметрах и статических характеристиках транзисторов. В литературе почти всегда приводятся характеристики, работа с которыми инженерам представляет некоторые трудности.

Ввиду того, что в подавляющем большинстве случаев инженерной практики используется схема с общим эмиттером, то эту схему следует считать основной. Следовательно, имеет смысл давать /г-параметры транзисторов для этой схемы и следующие статические характеристики: входные £/б=/(^б) при U_K = const и выходные I_K—f(U_K) при /б = const.

Желательно наличие подобных характеристик при нескольких температурах.

6. В разделе «полупроводниковые диоды» по назначению следует разделить последние на выпрямительные, детекторные, смесительные и опорные.