DOI: https://doi.org/10.20535/S002134701959010058
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Триггерные устройства с использованием емкости p-n перехода

В. И. Самойленко, И. А. Глотов

Аннотация


Рассматривается триггерный режим в нелинейном LC контуре при использовании емкости p-n перехода в качестве управляемой. Даны основные соотношения для выбора параметров схемы. Экспериментально подтверждается возможность создания параметрического триггера с использованием емкости p-n перехода.

Полный текст:

PDF

Литература


Демин, В. П. "Использование полупроводниковых элементов в схемах автоматической подстройки частоты," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 1, № 3, с. 356, 1958. DOI: https://doi.org/10.20535/S002134701958030110.

Самойленко, В. И. "Параметрическое усиление с использованием емкости p-n перехода," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 1, № 4, с. 451, 1958. DOI: https://doi.org/10.20535/S002134701958040105.

Шокли, В. Теория электронных полупроводников. ИИЛ, 1953.

Пеннин, Н. А.; Якунина, К. В. "Физические основы полупроводниковых приборов," в сб. «Полупроводниковые приборы и их применения» под ред. Я. А. Федотова. Советское радио, 1957.

Dill, F.; Depian, Н. "Semiconductor capacitance amplifier," Conv. Rec. IRE, p. III, 1956.


Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2019
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта