Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Влияние инжекции неосновных носителей на входное сопротивление кристаллического канального триода

Л. А. Зубрицкий

Аннотация


Рассматривается влияние термически генерированных и инжектированных неосновных носителей на входное сопротивление канального триода, а также методы уменьшения этого влияния. Приводятся зависимости входной проводимости и входного тока от температуры, входного напряжения и коэффициента инжекции стока.

Полный текст:

PDF

Литература


Пеннин, Н. А.; Якунин, К. В. Физические основы полупроводниковых приборов. Сб. статей "Полупроводниковые приборы и их применение". Советское радио 1956.

Ши, Р. Полупроводниковые приборы и их применение. Госэнергонздат, 1957.

Иоффе, А. Ф. Физика полупроводников. Изд. АН СССР, 1957.

Shockley, W. A unipolar "field-effect" transistor. Proc. IRE, v.40, n.11, p.1365-1376, 1952. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1952.273964.

Dacey, G. C.; Ross, I. M. Unipolar "field-effect" transistor. Proc. IRE, v.41, n.8, p.970-979, 1953. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1953.274285.

Bray, R. Minority carrier extraction in germanium. Phys. Rev., v.100, n.4, p.1047, 1955. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.100.1047.

Angellо, S. J.; Ebert, T. E. New minority carrier phenomenon in germanium. Phys. Rev., v.96, n.1, p.221, 1954. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.96.221.




DOI: https://doi.org/10.20535/S002134701958040099

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2018
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта