Исследование выходных характеристик полевого фототранзистора в оптотранзисторном режиме

Автор(и)

  • Дильбара Мустафаевна Ёдгорова Физико-технический институт научно-производственное объединение "Физика-Солнце" академии наук Узбекистана, Uzbekistan

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347008100087

Анотація

Проведено исследование выходных характеристик полевого фототранзистора при оптическом возбуждении в оптотранзисторном режиме. Выяснены механизмы, объясняющие преобразование оптического сигнала в канале во взаимосвязи с процессами протекающими, на переходе сток-затвор. Уточнены некоторые критерии, обеспечивающие эффективную модуляцию базовой области. Полученные результаты представляют интерес для разработки нового поколения транзисторов.

Посилання

Техника оптической связи. Фотоприемники / пер с англ. — М. : Мир, 1988. — 526 с.

Патент UZ IAP 02670. Оптотранзистор и способ его функционального включения / А. В. Каримов, Ш. Н. Бахронов. — Опубл. 29.04.05, Бюл. № 2.

Каримов А. В. Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазиизопериодическим переходом / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, С. А. Азимов. — Ташкент : Фан, 2005. — 250 с.

Карагеоргий-Алкалаев П. М. Особенности фоточувствительности арсенидгаллиевых структур типа полевого транзистора / П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. В. Каримов, М. Мирзабаев // Известия АН УзССР. Серия физико-математических наук. — 1979. — № 2. — С. 44–48.

Карагеоргий-Алкалаев П. М. Чувствительность к внешним воздействиям полупроводниковых структур с сублинейными вольтамперными характеристиками / П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман // ДАН. — 1978. — № 10. — С. 23–25.

Каримов А. В. Многофункциональные арсенид галлиевые тонкопереходные структуры / А. В. Каримов. — Ташкент : ФАН, 1992. — 176 с.

Берман Л. С. Введение в физику варикапов / Л. С. Берман. — Л. : Наука, 1968. — 190 с.

Опубліковано

2008-10-08

Як цитувати

Ёдгорова, Д. М. (2008). Исследование выходных характеристик полевого фототранзистора в оптотранзисторном режиме. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(10), 51–55. https://doi.org/10.20535/S0021347008100087

Номер

Розділ

Оригінальні статті