DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347006020117
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Инжекционно-полевой фотодиод

Абдулазиз Вахитович Каримов, Дильбара Мустафаевна Ёдгорова

Аннотация


Предложен фотодиод на основе pAlInGaAs–nGaAs–m-переходов. Высокая фоточувствительность в нем достигается в режиме прямого смещения p–n-гетероперехода и запирания n–m перехода. В этом режиме освещение структуры из собственной или примесной области спектра приводит к уменьшению сопротивления базовой области за счет генерированных фотоносителей, что приводит к последующему увеличению инжекционного тока через прямо смещаемый р–n-переход. При этом с увеличением приложенного напряжения поле на запираемом n–m-переходе возрастает. Такие фотодиоды могут использоваться для регистрации оптического и лазерного излучений в диапазоне 0,8…1,6 мкм.

Полный текст:

PDF

Литература


Андреев, И. А.; Ильинская, Н. Д.; Куницына, Е. В.; Михайлова, М.П.; Яковлев, Ю.П. "Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9…2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки," ФТП, Т. 37, № 8, С. 974, 2003. URI: https://elibrary.ru/item.asp?id=20333662.

Основы оптоэлектроники. Пер. с японс. М.: Мир, 1988. 288 с.

Бланк, Т. В.; Гольдберг, Ю. А. "Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра," ФТП, Т. 37, № 9, С. 1025–1055, 2003. URI: https://elibrary.ru/item.asp?id=20333668.

Karimov, А. V.; Karimova, D. A. "Three-junction Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag photodiode," Materials Sci. Semiconductor Process. Vol. 6, Nos. 1-3, р. 137-142, Feb.–June 2003. DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S1369-8001(03)00080-5.

Каримов, А. В. "Трехбарьерный фотодиод Каримова," А.с. № 167399. Опубл. 08.05.1991.

Каримов, А. В. "Трехбарьерный фотодиод Каримова," Пат. РУз №933. Опубл. 15.04.1994.

Каримов, А. В. "Фотоэлектрическое усилие в трехбарьерной структуре," Лазерная техника, оптоэлектроника, № 3, С. 83–85, 1993.

Викулин, И. М.; Стафеев, В. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.

Фистуль, В. И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984. 352 с.

Кейси, Х.; Паниш, М. Лазеры на гетероструктурах. Т. 2. М.: Мир, 1981. 364 с.


Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2019
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта