DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347006020117
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Инжекционно-полевой фотодиод

Абдулазиз Вахитович Каримов, Дильбара Мустафаевна Ёдгорова

Аннотация


Предложен фотодиод на основе pAlInGaAs–nGaAs–m-переходов. Высокая фоточувствительность в нем достигается в режиме прямого смещения p–n-гетероперехода и запирания n–m перехода. В этом режиме освещение структуры из собственной или примесной области спектра приводит к уменьшению сопротивления базовой области за счет генерированных фотоносителей, что приводит к последующему увеличению инжекционного тока через прямо смещаемый р–n-переход. При этом с увеличением приложенного напряжения поле на запираемом n–m-переходе возрастает. Такие фотодиоды могут использоваться для регистрации оптического и лазерного излучений в диапазоне 0,8…1,6 мкм

Полный текст:

PDF

Литература


Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9…2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки / И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, [и др.] // ФТП. — 2003. — Т. 37, Вып. 8. — С. 974.

Основы оптоэлектроники / пер. с японс. — М. : Мир, 1988. — 288 с.

Бланк Т. В. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг // ФТП. — 2003. — Т. 37, Вып. 9. — С. 1025—1055.

Karimov А. V. Three–junction Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag photodiode / А. V. Karimov, D. A. Karimova // Materials Sci. Semiconductor Process. — Feb.–June 2003. — Vol. 6, Nos. 1–3. — Р. 137—142.

А.с. № 167399. Трехбарьерный фотодиод Каримова / А. В. Каримов.; опубл. 08.05.1991.

Пат. РУз №933. Трехбарьерный фотодиод Каримова / А. В. Каримов.; опубл. 15.04.1994.

Каримов А. В. Фотоэлектрическое усилие в трехбарьерной структуре / А. В. Каримов // Лазерная техника, оптоэлектроника. — 1993. – № 3. — С. 83—85.

Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. — М. : Радио и связь, 1990. — 264 с.

Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников / В. И. Фистуль. — М. : Высшая школа, 1984. — 352 с.

Кейси Х. Лазеры на гетероструктурах : Т. 2 / Х. Кейси, М. Паниш. — М. : Мир, 1981. — 364 с.


Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2018
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта