Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Расчет ВАХ одноэлектронного транзистора с непрерывным спектром энергий в островке

В. И. Каневский, К. Н. Пак

Аннотация


Представлены результаты расчета ВАХ одноэлектронного транзистора с непрерывным спектром энергий в островке на основе ортодоксальной теории. Расчет кривых выполнен с использованием процедуры Монте-Карло.

Полный текст:

PDF

Литература


Averin, D. V.; Likharev, K. K. "Possible applications of the single charge tunneling," in H. Grabert and M. H. Devoret (eds.). Single Charge Tunneling. NATO ASI Series (Series B: Physics), Vol. 294. Springer, Boston, 1992. DOI: https://doi.org/10.1007/978-1-4757-2166-9_9.

Nakajima, A.; Futatsugi, T.; Kosemura, K.; Fukano, T.; Yokoyama, N. "Room temperature operation of Si single-electron memory with self-aligned floating dot gate," Proc. of Int. Electron Devices Meeting, 8-11 Dec. 1996, San Francisco, CA, USA. IEEE, 1996. DOI: https://doi.org/10.1109/IEDM.1996.554140.

Likharev, K. K. "Correlated discrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions," IBM J. Res. Develop., Vol. 32, No. 1, P. 144-158, 1988. DOI: https://doi.org/10.1147/rd.321.0144.

Roy, S. A. Simulation Tools for the Analysis of Single Electronic Systems. PhD Thesis. University of Glasgow, 1994.

Jovanovic, D.; Leburton, J.-P. "Self-consistent analysis of single-electron charging effects in quantum-dot nanostructures," Phys. Rev. B, Vol. 49, No. 11, P. 7474-7483, 1994. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.49.7474.

Amakawa, S.; Majima, H.; Fukui, H.; Fujishima, M.; Hoh, K. "Single-electron simulation," IEICE Trans. Electron., Vol. E81-C, No. 1, P. 21-29, 1998.

Yu, Z.; Dutton, R. W.; Kiehl, R. A. "Circuit/device modeling at the quantum level," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 47, No. 10, P. 1819-1825, 2000. DOI: https://doi.org/10.1109/16.870554.

Amman, M.; Mullen, K. "The charge-effect transistor," J. Appl. Phys., Vol. 65, No. 1, P. 339-346, 1989. DOI: https://doi.org/10.1063/1.342546.

Scholze, A.; Schenk, A.; Fichtner, W. "Single-electron device simulation," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 47, No. 10, P. 1811-1818, 2000. DOI: https://doi.org/10.1109/16.870553.

Likharev, K. "Single-electron transistors: Electrostatic analogs of the DC SQUIDS," IEEE Trans. Magnetics, Vol. 23, No. 2, P. 1142-1145, 1987. DOI: https://doi.org/10.1109/TMAG.1987.1065001.

Hanna, A. E.; Tinkham, M. "Variation of the Coulomb staircase in a two-junction system by fractional electron charge," Phys. Rev. B, Vol. 44, No. 11, P. 5919-5922, 1991. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.5919.

Hirvi, K. P.; Paalanen, M. A.; Pekola, J. P. "Numerical investigation of one-dimensional tunnel junction arrays at temperatures above the Coulomb blockade regime," J. Appl. Phys., Vol. 80, No. 1, P. 256-263, 1996. DOI: https://doi.org/10.1063/1.362813.

Kim, J.-J.; Lee, J.-O.; Kim, J.; Yoo, K. H.; Park, J. W.; Choi, J. B. "Charge transfer study of aluminum-based single electron transistors fabricated by using a controlled anodization technique," J. Korean Phys. Soc., Vol. 33, No. 6, P. 750-754, 1998.




DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347004020049

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2018
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта