Сингх Ш, Мишра В. Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии. Вісті вузів. Радіоелектроніка [інтернет]. 27, Травень 2018 [цит. за 29, Квітень 2024];61(5):267-74. доступний у: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018050035