Камалов АБ. Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки. Вісті вузів. Радіоелектроніка [інтернет]. 04, Лютий 2008 [цит. за 24, Листопад 2024];51(2):31-43. доступний у: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347008020040