Кушвах РС, Сикарвар В. Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов. Вісті вузів. Радіоелектроніка [інтернет]. 23, Липень 2015 [цит. за 24, Листопад 2024];58(7):26-39. доступний у: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015070031