Кушвах РС, Акеше Ш. Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET. Вісті вузів. Радіоелектроніка [інтернет]. 08, Вересень 2014 [цит. за 24, Листопад 2024];57(9):3-17. доступний у: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015