Сингх, Ш., і В. Мишра. «Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью C применением мемристоров 45-нм технологии». Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка 61, no. 5 (Травень 27, 2018): 267–274. дата звернення Червень 7, 2025. https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018050035.