Ш. Сингх і В. Мишра, «Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии», Вісті вузів. Радіоелектроніка, т. 61, вип. 5, с. 267–274, Трав 2018.