Р. С. Кушвах і В. Сикарвар, «Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов», Вісті вузів. Радіоелектроніка, т. 58, вип. 7, с. 26–39, Лип 2015.