Р. С. Кушвах і Ш. Акеше, «Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET», Вісті вузів. Радіоелектроніка, т. 57, вип. 9, с. 3–17, Вер 2014.