[1]
В. Сикарвар, С. Кханделвал, і Ш. Акеше, «Анализ и проектирование SRAM ячейки с низкой потребляемой мощностью на базе FinFET с независимыми затворами», Вісті вузів. Радіоелектроніка, т. 56, вип. 9, с. 13–23, Вер 2013.