КУШВАХ, Р. С.; АКЕШЕ, Ш. Анализ методики уменьшения утечки в 7Т и 8Т ячейках SRAM на основе транзисторов FinFET. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, [S. l.], v. 57, n. 9, p. 3–17, 2014. DOI: 10.20535/S0021347014090015. Disponível em: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014090015. Acesso em: 3 трав. 2024.