СИНГХ, Ш.; МИШРА, В. Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, [S. l.], v. 61, n. 5, p. 267–274, 2018. DOI: 10.20535/S0021347018050035. Disponível em: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018050035. Acesso em: 29 квіт. 2024.