КАМАЛОВ, А. Б. Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, [S. l.], v. 51, n. 2, p. 31–43, 2008. DOI: 10.20535/S0021347008020040. Disponível em: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347008020040. Acesso em: 24 лис. 2024.