КУШВАХ, Р. С.; СИКАРВАР, В. Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, [S. l.], v. 58, n. 7, p. 26–39, 2015. DOI: 10.20535/S0021347015070031. Disponível em: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015070031. Acesso em: 24 лис. 2024.