КРУКОВСЬКИЙ, С. І.; ВАКІВ, М. М.; ЯЩИШИН, Є. М.; АРІКОВ, В. В.; ВОРОНЬКО, А. О.; НОВІКОВ, Д. О.; ВЕРБІЦЬКИЙ, Д. О.; КРИВЕЦЬ, О. І. Властивості низькотемпературного GaAs отриманого методом РФЕ для пристроїв терагерцового діапазону. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, [S. l.], 2025. DOI: 10.20535/S0021347024080041. Disponível em: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347024080041. Acesso em: 20 квіт. 2025.