Камалов, А. Б. (2008). Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(2), 31–43. https://doi.org/10.20535/S0021347008020040