Сингх, Ш., & Мишра, В. (2018). Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 61(5), 267–274. https://doi.org/10.20535/S0021347018050035