[1]
Коколов, А.А. і Бабак, Л.И. 2015. Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка. 58, 10 (Жов 2015), 3–14. DOI:https://doi.org/10.20535/S0021347015100015.