Камалов, А.Б. 2008. Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка. 51, 2 (Лют 2008), 31–43. DOI:https://doi.org/10.20535/S0021347008020040.