Кушвах, Р.С. і Сикарвар, В. 2015. Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка. 58, 7 (Лип 2015), 26–39. DOI:https://doi.org/10.20535/S0021347015070031.