О механизме радиационной чувствительности падения напряжения силового диода - Каримов, Абдулазиз Вахитович; Рахматов, Ахмат Зайнидинович; Скорняков, Станислав Петрович; Ёдгорова, Дильбара Мустафаевна; Каримов, Абдувахоб Абдусаттарович; Кулиев, Шукурулло Мустафаевич (Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 2017)
Проведены экспериментальные исследования зависимости падения прямого напряжения и вольтамперной характеристики кремниевого силового диода от дозы облучения электронами. Установлено, что с увеличением дозы облучения от 2×1014 до 2×1015 Фe/см2прямое падение напряжения на диоде монотонно увеличивается, а времена жизни неосновных носителей заряда уменьшаются до одного порядка. В формировании вольтамперной характеристики после облучения электронами, наряду с уменьшением времени жизни неосновных носителей, преобладающую роль играет уменьшение концентрации основных носителей базы.