Модификация свойств контактов Au–Ti(W, Cr, TiВх)–GaAs внешними воздействиями - Камалов, Амангелди Базарбаевич (Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 2009)
Рассмотрено влияние гамма-облучения 60Со, микроволновой и ультразвуковой обработок на электрофизические свойства и релаксацию внутренних механических напряжений в контактах Au–Ti(W, Cr, TiВх)–GaAs изготовленных на пластинах GaAs, содержащих n–n+ структуры GaAs. Обнаружена корреляция между радиусом кривизны пластин GaAs и параметрами контактов. Экспериментально показано, что изменение электрофизических параметров диодов с барьером Шоттки на основе GaAs, обусловлено релаксацией внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых структурах с контактами.