Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов шоттки TiBx–n–6HSiC - Кудрик, Ярослав Ярославович; Абдижалиев, Султанбек Каллибекович (Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 2010)
Исследованы температурные зависимости прямой ветви вольтамперной характеристики диодов Шоттки TiBx–n–6HSiC. Обнаружено, что в интервале температур 100–500 K прямая ветвь ВАХ в диапазоне напряжений 0,05–0,4 В описывается экспоненциальной зависимостью. При этом ток насыщения и характеристическая энергия слабо зависят от температуры. Показано, что избыточная компонента тока карбидкремниевых диодов Шоттки носит туннельный характер, несмотря на то, что ОПЗ в исследованных диодах существенно больше характерной длины туннелирования.