Десять лет полупроводниковой электроники - Красилов, А. В.; Ройзин, Н. М. (Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 1958)
В 1958 г. исполнилось 10 лет со времени обнаружения эффекта взаимодействия токов двух электродов на германиевом кристалле, что привело к созданию точечно-контактного германиевого транзистора. При исследовании распределения потенциала около точечного контакта диода с помощью зонда Бардин и Браттейн [1] обнаружили изменение обратного тока диода при пропускании тока через зонд. Дальнейшие исследования показали, что сигнал, подводимый к зонду (эмиттеру), может быть усилен по току и мощности в цепи диода (коллектора). Открытие этого явления дало мощный толчок развитию теоретических и экспериментальных работ в области электронных полупроводников и в особенности германия и кремния. Физические исследования в этот период отличались исключительной целенаправленностью и значительно расширили наши представления о физических процессах в полупроводниках. Они велись в тесной связи с техническими проблемами по созданию полупроводниковых приборов для радиоэлектроники и привели к крупным достижениям. Ряд новых идей и приборов, возникших в этот период, не выдержали испытания времени. Так, не выдержал конкуренции точечно-контактный транзистор — родоначальник всех современных транзисторов. Сейчас, когда пройден десятилетний путь развития полупроводниковой электроники, полезно проследить, какие идеи оказались наиболее существенными для достижения ее нынешнего уровня и на чем основаны надежды на дальнейший рост.