TY - JOUR AU - Коротков, Александр Станиславович AU - Морозов, Дмитрий Валерьевич AU - Пилипко, Михаил Михайлович AU - Енученко, Михаил Сергеевич PY - 2020/12/29 Y2 - 2024/03/28 TI - Сигма-дельта АЦП по технологии КНИ для работы при высоких температурах JF - Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка JA - Вісті вузів. Радіоелектроніка VL - 63 IS - 11 SE - Оригінальні статті DO - 10.20535/S0021347020110035 UR - https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347020110035 SP - 683-694 AB - В работе рассмотрена разработка интегральной схемы и результаты измерений тестовых кристаллов для сигма-дельта АЦП с разрядностью 12 бит на основе 180 нм технологии «кремний–на–изоляторе» (КНИ) компании X-FAB. При напряжении питания 3,3 В и тактовой частоте модулятора 10 МГц АЦП обрабатывает входные сигналы в полосе частот до 100 кГц в диапазоне температур –40…+175 °С. Схема содержит предварительный фильтр нижних частот пятого порядка на переключаемых конденсаторах для ограничения спектра входного сигнала, каскадное соединение сигма-дельта модуляторов второго порядка, и цифровой децимирующий фильтр для снижения тактовой частоты в 48 раз. Основные блоки ограничивающего фильтра и модулятора собраны по балансной схеме на интеграторах на основе операционных транскондуктивных усилителей с полосой единичного усиления 63 МГц. Для расширения динамического диапазона преобразователя использована схема динамического согласования элементов, которая уменьшает уровень нелинейных искажений в цифро-аналоговых преобразователях в цепях обратных связей модулятора. Обеспечено значение параметра SINAD не хуже 68 дБ при преобразовании сигнала с дифференциальной амплитудой 500 мВ на частоте 100 кГц. ER -