@article{Павлов_Лебедев_2022, title={Структурна і параметрична оптимізація джерела опорної напруги}, volume={65}, url={https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347022070056}, DOI={10.20535/S0021347022070056}, abstractNote={<p>В статті показана можливість зниження температурного коефіцієнту для джерела опорної напруги (ДОН), побудованого на біполярних транзисторах. Для цього першим кроком запропоновано поділити температурний діапазон роботи ДОН на два інтервали. Оскільки найімовірнішим для експлуатації є інтервал з додатними значеннями температури, то такий поділ надає можливість удвічі зменшити температурний коефіцієнт для найімовірнішої робочої області при відповідному налаштуванні ДОН. При введенні вагових коефіцієнтів для оптимізації ДОН перевага надана робочому інтервалу саме додатних температур. Це дає напрямок пошуку оптимального рішення при формалізації процесу оптимізації. За другим кроком запропоновано структурну схему з компенсаторами спаду температурної характеристики. Також запропоновано електричні схеми типового компенсатора, та схеми включення одного і двох компенсаторів до нескомпенсованого ДОН. Цим також визначено правило введення наступних компенсаторів, якщо це буде доцільно. Проведено параметричну оптимізацію запропонованих схем ДОН і експериментальне дослідження схеми ДОН з одною ланкою компенсації. В результаті оптимізації отримано зменшення значення температурного коефіцієнту на рівні 2,88 ppm/°C для схеми з одним компенсатором, та 1,0 ppm/°C для випадку включення в схему двох компенсаторів, що перевершує опубліковані новітні досягнення. При розширенні температурного діапазону в область низьких температур, і застосуванні додаткових компенсаторів за наведеною структурною схемою, слід очікувати зниження температурного коефіцієнта до 0,25–0,5 ppm/°C.</p>}, number={7}, journal={Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка}, author={Павлов, Леонід Миколайович and Лебедев, Денис Ю.}, year={2022}, month={Лип}, pages={433–444} }