DOI: https://doi.org/10.20535/S00213470198801025X
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Термоупругие деформации в кристалле диода Ганна

С. В. Смирнов, В. И. Юрченко

Аннотация


Термоупругие реформации в кристалле диода Ганна / Смирнов С. В., Юрченко В. И.; Ред. журн. Изв. высш. учеб. заведений. Радиоэлектрон. — Киев, 1987, 7 с. : ил. — Библиогр. 8 назв. — Рус. — Деп. в ВИНИТИ 20.05.87. № 3573. — В 87.

Рассмотрены термоупругие деформации в кристаллах диодов Ганна, возникающие при работе в непрерывном режиме. Дана оценка величины возникающих деформаций, получены выражения, позволяющие связывать термоупругие деформации с электрическими характеристиками диодов. Показано, что изменение порогового поля диода за счет термоупругих деформаций имеет температурную зависимость, которая хорошо совпадает с данными, вытекающими из расчетов температурной зависимости дрейфовой скорости электронов; величина термоупругих деформаций существенно зависит от температуры теплоотвода и геометрических размеров кристаллов.


Полный текст:

PDF

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2019
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта