Эффект начального насыщения в сплавных транзисторах при высоких уровнях инъекции

Автор(и)

  • Ю. Д. Чайка
  • С. Я. Шац

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701966030063

Анотація

Показывается, что при больших токах имеет место раннее вхождение в насыщение периферийных областей коллектора. Вводится понятие о напряжении начального насыщения и вычисляется его величина. Указывается, что учет эффекта начального насыщения существенен как при проектировании ряда импульсных устройств на транзисторах, так и при разработке транзисторов.

Посилання

Huang С. A physical theory of junction transistor in collector voltage saturation region / С. Huang // IRE Trans. — Apr. 1959. — Vol. 6, No. 2. — P. 141.

Берестовский Г. H. Статические характеристики и переходные процессы в полупроводниковом триоде / Г. H. Берестовский // Радиотехника и электроника. — 1960. Т. 5, № 3. — С. 460.

Flеtсhеr N. General semiconductor junction relation / N. Flеtсhеr // J. of Electronics. — May 1957. — Vol. 2, No. 6. — P. 609.

Flеtсhеr N. The high current limit of semiconductor devices / N. Flеtсhеr // PIRE. — June 1957. — Vol. 45, No. 6. — P. 862.

Берковский Ф. М. Вольтамперная характеристика запирающего слоя германиевого перехода в пропускном направлении / Ф. М. Берковский, С. М. Рывкин, Н. Б. Строкан // Физика твердого тела. — 1960. — Т. 2, № 8. — С. 1956.

Опубліковано

1966-03-06

Як цитувати

Чайка, Ю. Д., & Шац, С. Я. (1966). Эффект начального насыщения в сплавных транзисторах при высоких уровнях инъекции. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 9(3), 327–333. https://doi.org/10.20535/S002134701966030063

Номер

Розділ

Оригінальні статті