Замечания

Анотація

Вопросы, затронутые в статье [1], исключительно своевременны. Предложенный перечень терминов и обозначений в большинстве случаев является удачным и строго обоснованным. Например, следует принять: название температурный потенциал для величины KT/q и обозначить его через ?_т ; принять термин транзисторы и укрепить этот термин только за управляемыми трех- и многоэлектродными приборами. Однако по отдельным разделам имеются замечания.

По разделу I

Транзисторы, отличающиеся по типу рабочих носителей (р-п-р, p-ni-p, п-р-п, n-pi-n) нецелесообразно называть дырочными и электронными, т. к. из этих названий не видно, является ли прибор 3- или 4-слойным.

По разделу II

п. 2. С нашей точки зрения кажется, что следует оставить термин плоскостной, а не плоский, как наиболее укоренившийся среди специалистов.

По разделу III

п. 4. Составляющую обратного тока диода ( /₀ ), которая не зависит от напряжения, предлагается обозначать /_ис , т. к. это более соответствует названию ток насыщения.

п. 5. При отсутствии оговорок на режим измерения предлагаем под прямым сопротивлением понимать сопротивление, соответствующее номинальному току, указанному и технических условиях.

Формулировка для R_nр, приведенная в статье, не совсем точна: .... под прямым сопротивлением понимается сопротивление при напряжении, для которого в технических условиях указан прямой ток...».

п. 11. Обозначение диода на принципиальных схемах целесообразно оставить при «обычном» использовании без кружочка, как вполне укоренившееся. Например, на корпусах диодов, выпускаемых опытным и серийным производством, принято такое обозначение.

По разделу IV

п. 4. Ток коллектора при разомкнутом эмиттере нельзя называть температурным током коллекторного перехода, т. к. он не является только током насыщения (особенно для кремниевых триодов). Предлагается назвать этот ток обратным током коллекторного (или эмиттерного) перехода. Это название аналогично названию обратный ток диода, и подчеркивает, что речь идет о токах коллекторного и эмиттерного диодов. Этот ток зависит не только от температуры, как указано в статье, но и от напряжения.

п. 5. На наш взгляд, целесообразно показывать семейства статических характеристик в следующей записи: эмиттерные и базовые характеристики: 1э(^э) Ук и *б (Уб) U_K , где параметром является напряжение коллектора U_K (обозначается в качестве индекса); коллекторные характеристики: — /_к (^Л<) или /_к (U_K) /_э, где параметром является ток базы /б или ток эмиттера /_э соответственно (обозначены в качестве индекса).

Аналогично рекомендуем обозначать и другие семейства. В этом случае будет излишним запоминание параметра, а форма записи при этом усложняется незначительно. В пользу этого следует добавить и то, что, называя коллекторными характеристиками зависимости /_к (Uk)> как указано в Ваших предложениях, исключается название схемы включения (ОБ, ОЭ или ОК). Для более сложных транзисторов в настоящее время не целесообразно предлагать символы из-за отсутствия транзисторов такого рода.

По разделу V

п. 1. Существует два мнения относительно названия. Одно согласуется с п. 1 предложенной терминологии, другое — довольно распространенный термин: коэффициент усиления по току.

п. 2. Целесообразно называть fa —граничной частотой, а не предельной, как в ТУ, поскольку при определении /а действительно устанавливается условная граница падения а на 3 дб.

п. 4. Предложенная формулировка терминов не ясна.

В п. 9 внутреннюю обратную связь коллекторной и эмиттерной цепей лучше характеризовать диффузионным сопротивлением базы Гб_Д.