Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе

Автор(и)

  • В. Т. Фролкин Московский ордена Ленина авиационный институт им. С. Орджоникидзе, Russian Federation

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701959030232

Анотація

Самойленко В. И., Особенности работы полупроводниковых диодов и триодов при больших уровнях напряжений. Научный руководитель д. т. н. проф. И. С. Гоноровский. Защита состоялась 30 июня1958 г. Официальные оппоненты: д. т. н. Р. А. Валитов, к. т. и. А. И. Иванов-Цыганов.

Теоретически и экспериментально исследуются свойства емкостей p-n перехода: зависимость ее от приложенного к переходу постоянного напряжения, тока, протекающего через переход, амплитуды высокочастотных колебаний, частоты и температуры.

Установлено, что емкость p-n перехода является одним из наиболее стабильных параметров p-n перехода. Она практически не зависит от частоты вплоть до тысяч мегагерц, очень мало зависит от температуры. Поэтому целесообразно использование емкости p-n перехода, как управляемой реактивности в различных радиотехнических устройствах.

Рассмотрены особенности применения емкости p-n перехода в схемах амплитудных и частотных модуляторов, параметрических усилителей, в линиях задержки с переменной величиной задержки и др.

##submission.downloads##

Опубліковано

1959-05-23

Як цитувати

Фролкин, В. Т. (1959). Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 2(3), 380. https://doi.org/10.20535/S002134701959030232

Номер

Розділ

Захист дисертацій