Переходные характеристики полупроводникового триода

Автор(и)

  • Т. М. Агаханян Московский инженерно-физический институт, Russian Federation

DOI:

https://doi.org/10.20535/S002134701958020096

Анотація

Рассматриваются переходные характеристики идеального триода, включенного по схеме с общей базой. Учитывается влияние сопротивления генератора импульсов, подключенного на вход триода.

Посилання

Schaffnеr, J. S.; Suran, J. J. Transient response of the grounded base transistor amplifier with small load impedance. J. Appl. Phys., Vol. 24, No. 11, p. 1355, 1953. DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1721177.

Адиpович, Э. И.; Колотилова, В. Г. Распространение короткого импульса в полупроводнике, ограниченном двумя электронно-дырочными переходами. ЖЭТФ, Т. 29, № 6, С. 770, 1955.

Macdonald, J. Solution of a transistor transient response problem. IRE Trans. Circuit Theory, Vol. 3, No. 1, p. 54-57, 1956. DOI: https://doi.org/10.1109/TCT.1956.1086271.

Шокли, В. Теория электронных полупроводников. ИИЛ, 1953.

Early, J. M. Design theory of junction transistors. BSTJ, Vol. 32, No. 6, P. 1271-1312, 1953. DOI: http://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1953.tb01462.x.

Moll, J. L.; Ross, I. М. The dependence of transistor parameters on the distribution of base layer resistivity. Proc. IRE, Vol. 44, No. 1, P. 72-78, 1956. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1956.274853.

Chu, G. Y. Unilateralisation of junction-transistor amplifiers at high frequencies. Proc. IRE, Vol. 43, No. 8, P. 1001-1006, 1955. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1955.278209.

Опубліковано

1958-03-09

Як цитувати

Агаханян, Т. М. (1958). Переходные характеристики полупроводникового триода. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 1(2), 194–201. https://doi.org/10.20535/S002134701958020096

Номер

Розділ

Оригінальні статті