Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Переходные характеристики полупроводникового триода

Т. М. Агаханян

Аннотация


Рассматриваются переходные характеристики идеального триода, включенного по схеме с общей базой. Учитывается влияние сопротивления генератора импульсов, подключенного на вход триода.

Полный текст:

PDF

Литература


Schaffnеr, J. S.; Suran, J. J. Transient response of the grounded base transistor amplifier with small load impedance. J. Appl. Phys., Vol. 24, No. 11, p. 1355, 1953. DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1721177.

Адиpович, Э. И.; Колотилова, В. Г. Распространение короткого импульса в полупроводнике, ограниченном двумя электронно-дырочными переходами. ЖЭТФ, Т. 29, № 6, С. 770, 1955.

Macdonald, J. Solution of a transistor transient response problem. IRE Trans. Circuit Theory, Vol. 3, No. 1, p. 54-57, 1956. DOI: https://doi.org/10.1109/TCT.1956.1086271.

Шокли, В. Теория электронных полупроводников. ИИЛ, 1953.

Early, J. M. Design theory of junction transistors. BSTJ, Vol. 32, No. 6, P. 1271-1312, 1953. DOI: http://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1953.tb01462.x.

Moll, J. L.; Ross, I. М. The dependence of transistor parameters on the distribution of base layer resistivity. Proc. IRE, Vol. 44, No. 1, P. 72-78, 1956. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1956.274853.

Chu, G. Y. Unilateralisation of junction-transistor amplifiers at high frequencies. Proc. IRE, Vol. 43, No. 8, P. 1001-1006, 1955. DOI: https://doi.org/10.1109/JRPROC.1955.278209.




DOI: http://dx.doi.org/10.20535/S002134701958020096

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2017
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта