DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347016020035
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке
Двумерное распределение температуры вдоль транзисторной структуры

Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия

Владимир Иванович Тимофеев, Елена Владимировна Семеновская, Елена Михайловна Фалеева

Аннотация


Рассмотрены физические процессы и факторы саморазогрева в мощном субмикронном полевом гетеротранзисторе. Предложены математические модели и проведен электротепловой анализ параметров и характеристик гетеротранзистора. На основе анализа температурных полей показано влияние тепловых процессов на параметры схемной модели и выходные частотные характеристики субмикронного гетеротранзистора. Установлена зависимость теплового сопротивления транзистора от его геометрических и теплофизических параметров.

Ключевые слова


субмикронный гетероструктурный транзистор; нитрид галлия; тепловые поля; эффект саморазогрева; частотные характеристики усиления

Полный текст:

PDF

Литература


Фарлоу С. Уравнения с частными производными для научных работников и инженеров / С. Фарлоу. — М. : Мир, 1985. — 384 с.

Карташов Э. М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел / Э. М. Карташов. — М. : Высшая школа, 2001. — 550 с.

Дульнев Г. Н. Методы расчета теплового режима приборов / Г. Н. Дульнев, В. Г. Парфенов, А. В. Сигалов. — М. : Радио и связь, 1990. — 312 с.

Вержбицкий В. М. Основы численных методов / В. М. Вержбицкий. — М. : Высшая школа, 2002. — 840 с.

Сегерлинд Л. Применение метода конечных элементов / Л. Сегерлинд. — М. : Мир, 1979. — 392 с.

Зарубин В. С. Инженерные методы решения задач теплопроводности / В. С. Зарубин. — М. : Энергоатомиздат, 1983. — 328 с.

Самарский А. А. Вычислительная теплопередача / А. А. Самарский, П. Н. Вабишевич. — М. : Едиториал УРСС, 2003. — 784 с.

Бенерджи П. Методы граничных элементов / П. Бенерджи, Р. Баттерфилд. — М. : Мир, 1984. — 494 с.

Коваль В. А. Автоматизация теплового проектирования микроэлектронных устройств средствами САПР / В. А. Коваль, Д. В. Федасюк, В. В. Маслов, В. Ф. Тарновский. — Л. : Вища Школа, 1988. — 256 с.

Мельников А. А. Расчет температурных полей в многослойных фотоприемных структурах / А. А. Мельников // Микросистемная техника. — 2000. — № 2. — С. 21–26. — Режим доступа : http://elibrary.ru/item.asp?id=8970752.

Lee S.-S. Electrothermal simulation of integrated circuits / Sang-Soo Lee, D. J. Allstot // IEEE J. Solid-State Circuits. — Dec. 1993. — Vol. 28, No. 12. — P. 1283–1293. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/4.262001.

Turkes P. Electro-thermal simulation of power electronic systems / P. Turkes, J. Sigg // Microelectron. J. — Nov. 1998. — Vol. 29, No. 11. — P. 785–790. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2692(97)00092-X.

Петросянец К. О. Моделирование тепловых режимов электронных компонентов / К. О. Петросянец // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА : XII Научно-технич. конф. : тр. — М. : МНТОРЭС, 2013. — С. 229–232.

Darwish A. M. Thermal resistance calculation of AlGaN–GaN devices / A. M. Darwish, A. J. Bayba, H. A. Hung // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — Nov. 2004. — Vol. 52, No. 11. — P. 2611–2620. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/TMTT.2004.837200.

Сверхбыстродействующие приборы электроники : Учебное пособие / В. А. Москалюк, В. И. Тимофеев, А. В. Федяй. — К. : НТУУ КПИ, 2012. — 479 с.

Timofeyev V. Thermal resistance of power submicron heterojunction field-effect transistors / V. Timofeyev, H. Semenovskaya // Electronics and Nanotechnology : IEEE 33 Int. Sci. Conf. ELNANO, 16–19 Apr. 2013, Kyiv, Ukraine : proc. — IEEE, 2013. — P. 47–50. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/ELNANO.2013.6552007.

Timofeyev V. I. Model of heterotransistor with quantum dots / V. I. Timofeyev, E. M. Faleyeva // Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. — 2010. — Vol. 13, No. 2. — Р. 186–188. — URL : http://journal-spqeo.org.ua/n2_2010/v13n2-2010-p186-188.pdf.

Timofeyev V. I. Thermal analysis of power heterostructure field-effect transistors / V. I. Timofeyev, E. M. Faleyeva, E. V. Semenovskaya // Electronics and Nanotechnology : IEEE 35 Int. Sci. Conf. ELNANO, 21–24 Apr. 2015, Kyiv, Ukraine : proc. — IEEE, 2015. — P. 239–241. — DOI : http://dx.doi.org/10.1109/ELNANO.2015.7146882.


 

Цитируется в:

1. Возбуждение коротких электрических моноимпульсов в пленках нитридов при отрицательной дифференциальной проводимости
Светлана Владимировна Кошевая, Владимир Всеволодович Гримальский, Д. Эскобедо-Алаторре, Маргарита Текпойотль-Торрес
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника  Том: 62  Выпуск: 6  Пер. стр.: 324  Год: 2019  
doi: 10.20535/S0021347019060025

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2020
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта