Использование пленки наноструктурированного серебра в многослойной контактной системе Tі/Mo/Ag кремниевых ФЭП
DOI:
https://doi.org/10.20535/S0021347016020011Ключові слова:
наноструктурированная тонкая пленка, многослойная металическая система, Ti/Mo/Ag, фронтальный контакт, солнечный элементАнотація
В работе синтезированы многослойные контактные системы Ti/Ag и Ti/Mo/Ag с наноструктурованными пленками серебра двумя вакуумными методами — методом электронно-лучевого испарения и ВЧ-магнетронного распыления. С помощью данных атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифракции и масс-спектроскопии вторичных нейтралей в работе исследовано влияние метода нанесения и режимов отжига на процессы зернообразования в серебряных тонких пленках и массоперенос между металлическими слоями контактной системы. Установлено уменьшение удельного поверхностного сопротивления разработанных контактов и соответственно увеличение тока короткого замыкания гетеропереходных кремниевых солнечных элементов.Посилання
Jha A. R. Solar Cell Technology and Applications / A. R. Jha. — Boca Raton : CRC Press, 2009. — 308 p.
Low-cost contact formation of high-efficiency crystalline silicon solar cells by plating / D. S. Kim, E. J. Lee, J. Kim, S. H. Lee // J. Korean Phys. Soc. — 2005. — Vol. 46, No. 5. — P. 1208–1212. — DOI : http://dx.doi.org/10.3938/jkps.46.1208.
The nature of screen printed front side silver contacts—results of the project MikroSol / R. Hoenig, M. Duerrschnabel, W. Mierlo, Z. Aabdin, J. Bernhard, J. Biskupek, O. Eibl, U. Kaiser, J. Wilde, F. Clement, D. Biro // Energy Procedia. — 2013. — Vol. 43. — P. 27–36. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/j.egypro.2013.11.085.
Vinod P. N. Specific contact resistance measurements of the screen-printed Ag thick film contacts in the silicon solar cells by three-point probe methodology and TLM method / P. N. Vinod // J. Mat. Science: Materials in Electronics. — 2011. — Vol. 22, No. 9. — P.1248–1257. — DOI : http://dx.doi.org/10.1007/s10854-011-0295-z.
Hilali M. M. A review and understanding of screen-printed contacts and selective-emitter formation / M. M. Hilali, A. Rohatgi, B. To // Crystalline Silicon Solar Cells and Modules : 14th Workshop NREL, 8–11 Aug. 2004, Winter Park, Colorado, USA : proc. — 2004. — P. 109–116, August, 2004.
Solanki C. S. Solar Photovoltaics: Fundamentals, Technologies And Applications / C. S. Solanki. — Delhi : PHI Learning Private Limited, 2015. — 506 p.
Luque A. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering / A. Luque, S. Hegedus. — Chichester : John Wiley & Sons Ltd, 2003. — 1180 p.
Electrical characterization, metallurgical investigation, and thermal stability studies of (Pd, Ti, Au)-based ohmic contacts / E. F. Chor, D. Zhang, H. Gong, W. K. Chong, S. Y. Ong // J. Appl. Phys. — 2000. — Vol. 87, No. 5. — P. 2437–2444. — DOI : http://dx.doi.org/10.1063/1.372198.
Temperature dependence of contact resistance of Au–Ti–Pd2Si–n+–Si ohmic contacts / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko, V. N. Sheremet // Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. — 2010. — Vol. 13, No. 4. — P. 436–438. — URL : http://www.journal-spqeo.org.ua/n4_2010/v13n4-2010-p436-438.pdf.
Ezawa H. Alloying behaviour of electroplated Ag film with its underlying Pd/Ti film stack for low resistivity interconnect metallization / H. Ezawa, M. Miyata, K. Tatsumi // J. Alloys Compd. — 2014. — Vol. 587. — P. 487–492. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.10.182.
Green M. A. Ag requirements for silicon wafer-based solar cells / Martin A. Green // Prog. Photovolt.: Res. Appl. — 2011. — Vol. 19, No. 8. — P. 911–916. — DOI : http://dx.doi.org/10.1002/pip.1125.
Koval V. M. Nanocrystalline silicon multilayer structures for optoelectronics / V. M. Koval, O. V. Bogdan, Y. I. Yakymenko // Nanotechnologies and Biomedical Engineering : 2nd Int. Conf. ICNBME-2013, 18–20 Apr. 2013, Chisinau, Moldova : proc. — 2013. — Р. 208–211. — URL : http://www.icnbme.sibm.md/files/icnbme_2013_proc/articles/SECTION%20Nanotechnologies%20and%20Nanomaterials/103.pdf.
Koval V. Study of nanocrystalline silicon thin films for application in solar cells / V. Koval, O. Bogdan, Yu. Yakymenko // 4th Int. Conf. NANOCON, 23–25 Oct. 2012, Brno, Czech Republic : proc. — 2012. — P. 138–143.
A new environmental friendly silver front contact paste for crystalline silicon solar cells / Q. Che, H. Yang, L. Lu, Y. Wang // J. Alloys Compd. — 2013. — Vol. 549. — P. 221–225. — DOI : http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2012.09.080.
Гременок В. Ф. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов / В. Ф. Гременок, М. С. Тиванов, В. Б. Залеcский. — Минск : БГУ, 2007. — 222 с.
Андриевский Р. А. Наноструктурные материалы / Р. А. Андриевский, А. В. Рагуля. — М. : Академия, 2005. — 192 с.
Драгунов В. П. Основы наноэлектроники : Учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. — М. : Логос, 2006. — 494 с.
Воронов С. А. Физическое материаловедение : Ч. 1 / С. А. Воронов, Л. П. Переверзева, Ю. М. Поплавко. — К. : НТУУ КПИ, 2004. — 195 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Известия высших учебных заведений. РадиоэлектроникаИздатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.
Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).
Варианты доступа к статье:
1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)
В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).
2. Статья с последующим доступом по подписке
В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.
- Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
- Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
- Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
- Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
- Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
- Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
- Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
- Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
- Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
- Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
- Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
- Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
- Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
- Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
- В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
- Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
- Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.
