Методика построения высокочастотной малосигнальной модели МОП-транзистора

Автор(и)

  • Сергей Андреевич Борисов Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Russian Federation
  • Александр Станиславович Коротков Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Russian Federation https://orcid.org/0000-0001-8407-6528

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347010070034

Ключові слова:

МОП-транзистор, интегральные схемы, высокие частоты, малосигнальная модель, BSIM, экстракция параметров, MOSFET, RF IC design, small-signal MOSFET modeling, parameter extraction

Анотація

В статье рассматривается методика построения малосигнальной эквивалентной схемы МОП-транзистора в области высоких частот, предлагаются методики определения параметров по постоянному и переменному току. Приведены результаты моделирования и экспериментальные данные.

Посилання

Cheng Y. MOSFET modeling for RF IC design / Y. Cheng, M. J. Deen, C. Chen // IEEE Trans. Electron Devices. — July, 2005. — Vol. 52, No. 7. — P. 1286–1303.

Enz C. An MOS transistor model for RF IC design valid in all regions of operation / C. Enz // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — January, 2002. — Vol. 50, No. 1. — P. 342–359.

Enz C. MOS transistor modeling for RF IC design / C. Enz, Y. Cheng // IEEE J. Solid-State Circuits. — February, 2000. — Vol. 35, No. 2. — P. 186–201.

Cheng Y. High frequency small–signal AC and noise modeling of MOSFET for RF IC design / Y. Cheng // IEEE Trans. Electron Devices. — March, 2002. — Vol. 49, No. 3. — P. 400–408.

BSIM3v3 Manual, UC Berkley. — 2005. — Ch. 4. — P. 5–23.

Choi W. Y. Park stable threshold voltage extraction using Tikhonov’s regularization theory / W. Y. Choi, H. Kim, B. Lee, et al. // IEEE Trans. Electron Devices. — November, 2004. — Vol. 51, No. 11. — P. 1833–1839.

Опубліковано

2010-07-03

Як цитувати

Борисов, С. А., & Коротков, А. С. (2010). Методика построения высокочастотной малосигнальной модели МОП-транзистора. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 53(7), 21–30. https://doi.org/10.20535/S0021347010070034

Номер

Розділ

Оригінальні статті