Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки

Автор(и)

  • Амангелди Базарбаевич Камалов Комплексный институт естественных наук каракалпакское отделение академии наук республики Узбекистан, Uzbekistan

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347008020040

Анотація

В данной обзорной работе кратко проанализированы литературные данные по влиянию внешних воздействий на электрофизические свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки и их стабильность к внешним воздействиям. Обсуждены радиационные изменения свойств арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки, а также эффекты, связанные с малодозовой обработкой.

Посилання

Радиационные методы в твердотельной электронике / В. С. Вавилов, Б. М. Горин, Н. Данилин [и др.]. — М. : Радио и связь, 1990. — 184 с.

Investigation of radiation defects in GaAs by means of schottky diode characteristics / O. Yu. Borkovskaya, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, Yu. A. Tkhorik // Phys. Stat. Sol. (A). — 1978. — Vol. 48, No. 1. — P. K55—K58.

Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами / В. В. Болотов, В. А. Коротченко, А. П. Мамонтов [и др.] // ФТП. — 1980. — Т. 14, Вып. 2. — С. 2257–2260.

Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5 / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, Р. В. Конакова [и др.]. — К. : ИФ АН УССР, 1986. — (Препринт / АН УССР, ИФ, № 6, 1986).

Мамонтов А. П. Эффект малых доз ионизирующего излучения / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов. — М. : Энергоатомиздат, 2001. — 286 с.

Вовненко В. И. Радиационная перестройка глубоких центров в барьерных структурах арсенида галлия / В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко // ФТП. — 1987. — Т. 21, № 1. — С. 156–159.

Конакова Р. В. Возможности радиационной технологии при изготовлении диодов / Р. В. Конакова, Ю. А. Тхорик // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. — 1988. — № 2. — С. 47–56.

К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках А3В5 / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, О. Н. Мищук // ФТП. — 1989. — Т. 23, № 2. — С. 207–212.

О влиянии внутренних механических напряжений на механизм формирования и параметры барьерных структур Cr–GaAs / Ю. Бреза, Р. В. Конакова, В. Г. Ляпин [и др.] // Поверхность. — 1994. — № 6. — С. 103–109.

Статов В. А. Исследование физики межфазных взаимодействий на границе раздела тугоплавкий металл-GaAs : автореф. дис. … к.ф.м.н. / В. А. Статов. — К. : ИФП НАНУ, 1996. — 18 с.

Влияние внешних радиационных, СВЧ и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристаллах / Е. Ф. Венгер, И. Б. Ермолович, В. В. Миленин [и др.] // ВАНТ. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 1999. — № 3(75). — С. 60–73.

Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл InP и металл-GaAs / под общ. ред. Р. В. Конаковой и Г. С. Коротченкова. — К. : ИО ИФП НАНУ,1999. —233 с.

Исмайлов К. А. Радиационные эффекты в арсенид-галлиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием гамма и бета излучения / К. А. Исмайлов, А. Б. Камалов, В. А. Статов // ВАНТ. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 2000. — № 2(79). — С. 63–65.

Межфазные взаимодействия и особенности структурной релаксации в контактах TiBx–n–GaAs(InP, GaP, 6H–SiC), подвергнутых активным обработкам / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Р. В. Конакова [и др.] // ФТП. — 2004. — Т. 38, № 7. — С. 769–774.

Громов Д. В. Радиационные дефекты в СВЧ полупроводниковых приборах на основе арсенида галлия / Д. В. Громов, Г. В. Петров, В. Г. Еленский // Зарубежная радиоэлектроника. — 1980. — № 11. — С. 64–77.

Радиационные эффекты в GaAs полупроводниковых приборах и интегральных схемах / Е. Р. Аствацатурьян, Д. В. Громов, В. В. Елесин [и др.] // Зарубежная электронная техника. — 1988. — № 1. — С. 48–83.

Взаимодействие арсенида галлия с ионизирующим излучением и проблемы радиационной стойкости арсенидгаллиевых приборов / А. В. Бобыль, Р. В. Конакова, В. К. Кононов [и др.] // Электронная техника. Серия 8: Управление качеством и стандартизация. — 1992. — № 3–4. — С. 31–40.

Кияк С. Г. Изменение физических свойств и структуры полупроводников под действием импульсного лазерного излучения / С. Г. Кияк // Известия АН СССР. Серия физическая. — 1982. — Т. 46, № 6. —С. 1090–1097.

Готра З. Ю. Импульсный лазерный отжиг ионноимплантированных полупроводниковых материалов / З. Ю. Готра, С. А. Осередько, Я. В. Бобицкий // Зарубежная электронная техника. — 1983. — № 6. — С. 3–77.

Физико-химические взаимодействия в контактах палладий-арсенид галлия, подвергнутых импульсному лазерному отжигу / А. П. Вяткин, В. П. Воронков, С. М. Кулешов [и др.] // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1986. — № 8. — С. 111–114.

Вольтамперные характеристики контактов Pd–GaAs подвергнутых лазерному отжигу / В. П. Воронков, А. П. Вяткин, Б. В. Иванов [и др.] // ФТП. — 1989. — Т. 23, № 3. — С. 562–564.

Исследование механизмов разрушения полупроводников мощным лазерным излучением ИК диапазона / Ю. К. Данилейко, Т. Н. Лебедева, А. А. Маненков, А. И. Сидорин // ЖЭТФ. —1978. — Т. 74, № 2. — С. 765–771.

Хайбуллин И. Б. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы и нерешенные вопросы / И. Б. Хайбуллин, Л. С. Смирнов // ФТП. — 1985. — Т. 19, № 4. — С. 569–591.

К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников / В. Н. Абакумов, Ж. И. Алферов, Ю. В. Ковальчук, Е. Л. Портной // ФТП. — 1984. — Т. 18, № 12. — С. 2224–2228.

Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs / Г. М. Гусаков, Т. Н. Кондратова, К. С. Канский, А. И. Ларюшин // ФТП. — 1989. — Т. 23, № 10. — С. 1864–1868.

Лазерное индуцированное образование дефектов в поверхностных слоях материалов А3В5 / А. И. Ефимова, П. К. Кашкаров, В. И. Петров, В. Ю. Тимошенко // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1990. — № 8. — С. 94—100.

Емельянов В. И. Дефектообразование в приповерхностных слоях полупроводников при импульсном лазерном воздействии / В. И. Емельянов, П. К. Кашкаров // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1990. — № 2. — С. 77–85.

Кашкаров П. К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах / П. К. Кашкаров // СОЖ. — 1991. — № 1. — С. 105–112.

Кашкаров П. К. Образование дефектов в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге / П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко // Поверхность: Физика, химия, механика. — 1995. — № 6. — С. 5–34.

Никифоров А. Ю. Физические основы лазерного экспериментального имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых структурах, элементах и микросхемах. Линейная модель / А. Ю. Никифоров, П. К. Скоробогатов // Микроэлектроника. — 2004. — Т. 33. — С. 91–107.

Изменение морфологии поверхности InP, GaAs и InAs под действием лазерного излучения пороговой плотности потока / К. К. Джаманбалин, А. Г. Дмитриев, Э. Н. Сокол-Номоконов, Ю. И. Уханов // ФизХОМ. — 1990. — № 2. — С. 20–23.

Камалов А. Б. Радиационные эффекты в барьерных контактах металл-GaAs / А. Б. Камалов // Петербургский журнал электроники. — 2005. — № 4(45). — С. 40–44.

Physico–chemical processes in the GaAs Schottky diodes stimulated by the gyrotron radiation / R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin [et al.] // Functional Materials. — 1995. — Vol. 2, No. 4. — Р. 47–50.

Влияние импульсных СВЧ полей на время жизни носителей тока в кремнии / Д. Е. Абдурахимов, В. Л. Верещагин, В. П. Калинушкин [и др.] // Краткие сообщения по физике ФИАН. — 1991. — № 6. — С. 27–29.

СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников / А. В. Ржанов, Н. Н. Герасименко, А. В. Васильев, В. И. Ободников // ПЖТФ. — 1981. — Т. 7, № 20. — С. 1221–1223.

Использование мощного СВЧ излучения для быстрого отжига арсенида галлия / Е. В. Винник, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович, М. В. Шевелев // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 1989. — № 15. — С. 48–50.

Влияние СВЧ излучения на структурные, физико-химические и электрофизические свойства ряда полупроводниковых материалов и приборных структур / А. Е. Беляев, А. А. Беляев, Е. Ф. Венгер [и др.] // СВЧ техника и телекоммуникационные технологии : 6я междунар. Крымская конф., Крым, Украина, 16–19 сентября 1996 : матер. конф. — Севастополь : Вебер, 1996. — С. 71–89.

Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур / А. А. Беляев, А. Е. Беляев, И. В. Ермолович [и др.] // ЖТФ. — 1998. — Т. 68, № 12. — С. 49–53.

Влияние внешних радиационных, СВЧ и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристаллах / И. Б. Ермолович, В. В. Миленин, Р. В. Конакова, Г. Е. Чайка // ВАНТ. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 1998. — № 1(67), 2(68). — С. 37–39.

Релаксация внутренних механических напряжений в тонкопленочных арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная СВЧ излучением / Н. С. Болтовец, А. Б. Камалов, Е. Ю. Колядина [и др.] // Тонкие пленки в электронике : 12-й междунар. симп., Харьков, Украина, 2001 : тр. — Харьков, 2001. — C. 313–316.

Эффекты в полупроводниковых структурах стимулированные мощным электромагнитным излучением / Н. С. Болтовец, А. Б. Камалов, Р. В. Конакова [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом : IV междунар. конф., Минск, Белоруссия, 2001 : тр. — Минск, 2001. — С. 114–116.

Релаксация внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная микроволновой обработкой / Н. С. Болтовец, А. Б. Камалов, Е. Ю. Колядина [и др.] // ПЖТФ. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 57–64.

Relaxation of Interinsic Stresses in Au–Ti(TiBx)–n–n+–GaAs Surface–Barrier Structures Induced by Microwave Radiation / A. B. Kamalov, E. Yu. Kolyadina, R. V. Konakova [et al.] // Formation of Semiconductor Interface : 8th Int. Conf., 8–10 June 2001, Sapporo, Japan : abstr. — Sapporo, 2001. — P. 118.

Effect of microwave treatment on the parameters of Au–TiBx–GaAs(SiC 6H) surface–barrier structures / S. K. Abdizhaliev, K. A. Ismailov, A. B. Kamalov, Ya. Ya. Kudrik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. — 2003. — Vol. 6, No. 2. — P. 202–204.

##submission.downloads##

Опубліковано

2008-02-04

Як цитувати

Камалов, А. Б. (2008). Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 51(2), 31–43. https://doi.org/10.20535/S0021347008020040

Номер

Том 51 № 2 (2008)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.