Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Влияние режимов термообработки на удельное сопротивление омического контакта к монокристаллам GaAs p-типа

Е. П. Марковский

Аннотация


Исследовано значение удельного контактного сопротивления омических контактов к сильнолегированному полупроводнику (2×1018 см–3) GaAs p-типа, с многослойной структурой контакта — Au/TiBx/Ti. Результаты измерений показывают, что данная омическая система конкурентоспособна и имеет свои преимущества перед другими подобными омическими структурами.

Полный текст:

PDF

Литература


Гольдберг Ю. А. Тонкие многослойные контакты арсенид галлия—металл / Ю. А. Гольдберг, Д. Н. Наследов, Б. В. Царенков // ПТЭ. — 1966. — № 6. — С. 180–184.

Омические контакты арсенид галлия—металл (обзор) / Л. Д. Либов, С. С. Мескин, Д. Н. Наследов, В. Е. Седов, Б. В. Царенко // ПТЭ. — 1965. — № 4. — С. 14–21.

Stable ohmic contact to GaAs with TiN diffusion barrier / M. F. Zhut, A. H. Hamdi, M.-A. Nicolet, J. L. Tandon // Thin Solid Films. — 1984. — No. 119. — Р. 5–9.

Escobosa A. H. Non-alloyed ohmic contacts on -GaAs and -GaAlAs using Mo-CVD contact layers / A. H. Escobosa and H. Beneking // J. Crystal Growth. — 2 January 1982. — Vol. 56, Issue 2. — P. 376–381.

A study of p-type ohmic contacts to InA1As/InGaAs heterostructures / R. D. Briggs, A. J. Howard, A. G. Baca, M. J. Haffeh, and G. A. Vawter // Thin Solid Films. — 15 December 1996. — Vol. 290–291. — P. 508–512.

Prasad K. A common metallization scheme for ohmic contacts to n-type and p-type GaAs: the Al–Ni–Sn system / K. Prasad // Materials Science and Engineering В. — November 1994. — Vol. 27, No. 2–3. — P. L21–L23.

Wu C.-H. Ni/Pd/Au ohmic contact for p-GaAs and its application in red RCLED / Chih-Hung Wu, Sen-Mao Liao, and Kai-Cheng Chang // Mater. Sci. Eng. B. — 15 March 2005. — Vol. 117, No. 2. — P. 205–209.

A SIMS and TEM investigation of Au/Ti/Pd solid state Ohmic contacts on p-GaAs / B. M. Henrya, A. E. Staton-Bevana, V. K. M. Sharmaa, and M. A. Crouchb // Appl. Surface Science. — April 1997. — Vol. 108, No. 4. — P. 485–493.

Ohmic performance comparison for Ti/Ni/Au and Ti/Pt/Au on InAs graded InGaAs/GaAs layers / Y.-T. Lyua, K.-L. Jawa, Ch.-T. Lee, et al. // Mater. Chem. Phys. — 28 February 2000. — Vol. 63, No. 2. — P. 122–126.

A survey of ohmic contacts to III—V compound semiconductors / А. G. Baca, F. Ren, J. C. Zolper, R. D. Briggs, S. J. Pearton // Thin films. — 1997. — No. 308–309. — P. 599–606.

Shimawaki H. Ohmic contacts to p-GaAs with regrown structures formed by metal organic molecular beam epitaxy / H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Honjo // J. Appl. Phys. — June 1991. — Vol. 69(11). — P. 7939–7941.

Гольдберг Ю. А. Омический контакт металл—полупроводник : методы создания и свойства / Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. — 1994. — T. 28, № 10. — С. 1681–1698.

Родерик Э. К. Контакты метал—полупроводник / Э. К. Родерик ; пер. с англ. под ред. Г. В. Степанова. — М. : Радио и связь, 1982. — 208 с.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 1 / С. Зи ; пер. с англ. — 2-е изд. перераб. и доп. — М. : Мир, 1984. — 456 с.




DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347005070095

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2017
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта