Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Моделирование температурных характеристик кремниевых датчиков при малых уровнях инжекции

Петр Алексеевич Яганов

Аннотация


Исследована термочувствительность кремниевых биполярных структур, как зависимость неравновесной контактной разности потенциала p–n-перехода от температуры. Выведено уравнение модели, описывающие температурные характеристики кремниевых датчиков на основе p–n-перехода. Сравниваются экспериментальные зависимости напряжения на p–n-переходе от температуры с зависимостями, построенными по предложенной модели.

Полный текст:

PDF

Литература


Венгер Е. Ф. Влияние сопротивления линии связи на термометрическую характеристику кремниевых сенсоров температуры / Е. Ф. Венгер, Н. Р. Кулиш, Ю. М. Шварц // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 1997. — Вып. 32. — C. 83–86.

Яганов П. А. Координатный фотопреобразователь с температурной стабилизацией / П. А. Яганов // Электроника и связь. — 2003. — № 20. — C. 208–210.

Васильев А. М. Полупроводниковые фотопреобразователи / А. М. Васильев, А. П. Ландсман. — М. : Сов. pадио, 1971. — 248 с.

Яганов П. А. Связь фото-ЭДС холостого хода с уровнем легирования p- и n-областей / П. А. Яганов, И. И. Клетченков // Диэлектрики и полупроводники. — 1987. — Вып. 31. — C. 89–95.

Tyagi M. S. Minority carrier recombination in heavilydoped silicon / M. S. Tyagi, R. Van Overstraeten // Solid-State Electronics. — 1983. — Vol. 26. No. 6. — Р. 577–579.

Мнацаканов Т. Т. Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда / Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников. — 1997. — T. 31, № 7. — С. 833–835.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1 / С. Зи. — М. : Мир, 1984. — 456 с.

Стриха В. И. Контактные явления в полупроводниках / В. И. Стриха. — К. : Вища школа, 1982. — 224 с.

О температурных зависимостях равновесных и неравновесных характеристик в кремнии / А. П. Горбань, В. А. Зуев, В. П. Костылев, [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 2001. — Вып. 36. — С. 161–165.




DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347005060099

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2017
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта