Мощные импульсные полупроводниковые источники миллиметрового диапазона длин волн в режиме внешней синхронизации

Автор(и)

  • Леонид Вениаминович Касаткин Научно-исследовательский институт "Орион", Ukraine
  • В. П. Рукин Научно-исследовательский институт "Орион", Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347005060014

Анотація

Рассмотрены пути создания мощных импульсных полупроводниковых источников электромагнитных колебаний в миллиметровом диапазоне длин волн, где в короткоимпульсном режиме наиболее целесообразно применение кремниевых лавинно-пролетных диодов с оптимальными профилем легирования и геометрией. Показано, что оптимальная площадь полупроводниковой структуры диода, обеспечивающая максимальную мощность при допустимой температуре, зависит от параметров импульсного режима и величины последовательно включенного омического сопротивления. Рассмотрены методы суммирования мощностей диодов, эффективные в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана возможность построения мощных импульсных источников на кремниевых ЛПД с уровнями импульсной мощности сотни ватт в миллиметровом диапазоне.

Посилання

Карушкин Н. Ф. Стабилизация СВЧ-параметров импульсных ГЛПД / Н. Ф. Карушкин, Л. В. Касаткин // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. — 2000. — Вып. 1 (475). — С. 22–27.

Белоусов Н. П. Температурная зависимость характеристик импульсных лавинно-пролетных диодов / Белоусов Н. П., Новожилов В. В. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1987. — Вып. 3 (397). — С. 23–26.

Токовая стабилизация амплитудно-частотных характеристик синхронизированных импульсных ГЛПД в интервале температур / Н. П. Белоусов, А. В. Горбачев, Л. В. Касаткин, В. В. Новожилов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1989. — Вып. 4 (418). — С. 10–15.

Gibbons G. Transient temperature response of an avalanche diode / G. Gibbons // Solid State Electronics. — 1970. — Vol. 13, No. 6. — Р. 799–806.

Андреев В. С. Синхронизация как метод сложения мощностей генераторов / В. С. Андреев // Радиотехника и электроника. — 1982. — Т. 27, № 10. — С. 1091–1094.

Горбачев А. В. Каскадное суммирование мощностей ЛПД в режиме внешней синхронизации / А. В. Горбачев, Л. В. Касаткин // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1989. — Вып. 10 (424). — С. 22–27.

Горбачев А. В. Эквивалентная схема замещения высокочастотной цепи твердотельного стабилотронного суматора мощности / А. В. Горбачев, Л. В. Касаткин // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1989. — Вып. 9 (423). — С. 50–55.

Касаткин Л. В. Широкополосные импульсные генераторы СВЧ на ЛПД в режиме внешней синхронизации / Л. В. Касаткин // Радиоэлектроника. — 2002. — Т. 45, № 2. — С. 15–24. — (Известия вузов).

Chang K. Millimeter-wave power combining techniques / K. Chang, C. Sun // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — May 1983. — Vol. 31, No. 5. — Р. 91–107.

Ma Y. V-band high power IMPATT amplifier / Y. Ma, C. Sun, E. Nahaji // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. — May 1980. — Р. 73–74.

Yen H. A 63-W W-band injection locked pulsed solid-state transmitter / H. Yen, K. Chang // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — December 1981. — Vol. 29, No. 12. — P. 1292–1297.

1 kW peak, 300 W avg. IMPATT diode injection locked oscillator / C. Drubia, A. Nieber, G. Jerinic, A. Marinilli // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. — 1982. — Р. 126–128.

Moony W. Injection locking performance of a 41-GHz 10 W power combining amplifier / W. Moony, F. Bayuk // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — Feb., 1983. — Vol. 31, No. 2. — Р. 171–176.

Chang K. Power combining near 94 GHz / K. Chang, R. Ebert // IEEE Int. Solid-State Circuit Conf., Session X : Microwave Circuits. — 1980. — Р. 16–28.

Касаткин Л. В. Суммирование мощностей ЛПД в стабилотронах / Л. В. Касаткин, И. Д. Ладнич // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1982. — Вып. 3. — С. 17–23.

Твердотельные компоненты для перспективной радиоэлектронной аппаратуры ММ и субММ диапазонов длин волн (26,5...300 ГГц) / С. П. Ракитин, Н. Ф. Карушкин, Л. В. Касаткин, [и др.] / Microwave & Telecommunication Technology : 10th Int. Conf. CriMiCo. — 2000. — Р. 33–36.

Мощные высокоэффективные ЛПД трехсантиметрового диапазона на GaAs / В. М. Вальд-Перлов [и др.] // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1983. — Вып. 3. — С. 74–82.

Bauer T. A resonant-cap power combiner for two-terminal millimeter wave devices / T. Bauer, J. Freyer, M. Claassen // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — 1997. — Vol. 45, No. 1. — Р. 146–148.

Power consideration on IMPATT diode arrays with incomplete thermal isolation / H. Susuki, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — June 1980. — Vol. 28, No. 6. — Р. 632–638.

Wagner L. The effect of dissimilar IMPATT diodes on power combining efficiency / L. Wagner, R. Laton // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. — 1983. — Р. 489–490.

##submission.downloads##

Опубліковано

2005-06-11

Як цитувати

Касаткин, Л. В., & Рукин, В. П. (2005). Мощные импульсные полупроводниковые источники миллиметрового диапазона длин волн в режиме внешней синхронизации. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 48(6), 3–19. https://doi.org/10.20535/S0021347005060014

Номер

Том 48 № 6 (2005)

Розділ

Оригінальні статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника

Издатель журнала Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника (сокр. "Известия вузов. Радиоэлектроника"), Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", учитывает, что доступ автора к его статье является важным как для самого автора, так и для спонсоров его исследований. Мы представлены в базе издателей SHERPA/RoMEO как зеленый издатель (green publisher), что позволяет автору выполнять самоархивирование своей статьи. Однако важно, чтобы каждая из сторон четко понимала свои права. Просьба более детально ознакомиться с Политикой самоархивирования нашего журнала.

Политика оплаченного открытого доступа POA (paid open access), принятая в журнале, позволяет автору выполнить все необходимые требования по открытому доступу к своей статье, которые выдвигаются институтом, правительством или фондом при выделении финансирования. Просьба более детально ознакомиться с политикой оплаченного открытого доступа нашего журнала (см. отдельно).

Варианты доступа к статье:

1. Статья в открытом доступе POA (paid open access)

В этом случае права автора определяются лицензией CC BY (Creative Commons Attribution).

2. Статья с последующим доступом по подписке

В этом случае права автора определяются авторским договором, приведенным далее.

  • Автор (каждый соавтор) уступает Издателю журнала «Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника» НТУУ «КПИ» на срок действия авторского права эксклюзивные права на материалы статьи, в том числе право на публикацию данной статьи издательством Аллертон Пресс, США (Allerton Press) на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems». Передача авторского права охватывает исключительное право на воспроизведение и распространение статьи, включая оттиски, переводы, фото воспроизведения, микроформы, электронные формы (он- и оффлайн), или любые иные подобные формы воспроизведения, а также право издателя на сублицензирование третьим лицам по своему усмотрению без дополнительных консультаций с автором. При этом журнал придерживается Политики конфиденциальности.
  • Передача прав включает право на обработку формы представления материалов с помощью компьютерных программам и систем (баз данных) для их использования и воспроизводства, публикации и распространения в электронном формате и внедрения в системы поиска (базы данных).
  • Воспроизведение, размещение, передача или иное распространение или использование материалов, содержащихся в статье должно сопровождаться ссылкой на Журнал и упоминанием Издателя, а именно: название статьи, имя автора (соавторов), название журнала, номер тома, номер выпуска, копирайт авторов и издателя "© Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт"; © автор(ы)".
  • Автор (каждый соавтор) материалов сохраняет все права собственника материалов, включая патентные права на любые процессы, способы или методы и др., а также права на товарные знаки.
  • Издатель разрешает автору (каждому соавтору) материалов следующее:
  1. Право пользоваться печатными или электронными вариантами материалов статьи в форме и содержании, принятыми Издателем для публикации в Журнале. Подробнее см. политики Оплаченного открытого доступа, подписки и самоархивирования.
  2. Право бесплатно копировать или передавать коллегам копию напечатанной статьи целиком или частично для их личного или профессионального использования, для продвижения академических или научных исследований или для учебного процесса или других информационных целей, не связанных с коммерческими целями.
  3. Право использовать материалы из опубликованной статьи в написанной автором (соавторами) книге, монографии, учебнике, учебном пособии и других научных и научно-популярных изданиях.
  4. Право использовать отдельные рисунки или таблицы и отрывки текста из материалов в собственных целях обучения или для включения их в другую работу, которая печатается (в печатном или электронном формате) третьей стороной, или для представления в электронном формате во внутренние компьютерные сети или на внешние сайты автора (соавторов).
  • Автор (соавторы) соглашаются, что каждая копия материалов или любая ее часть, распространенная или размещенная ими в печатном или электронном формате, будет содержать указание на авторское право, предусмотренное в Журнале и полную ссылку на Журнал Издателя.
  • Автор (соавторы) гарантирует, что материалы являются оригинальной работой и представлены впервые на рассмотрение только в этом Журнале и ранее не публиковались. Если материалы написаны совместно с соавторами, автор гарантирует, что проинформировал их относительно условий публикации материалов и получил их подписи или письменное разрешение подписываться от их имени.
  • Если в материалы включаются отрывки из работ или имеются указания на работы, которые охраняются авторским правом и принадлежат третьей стороне, то автору необходимо получить разрешение владельца авторских прав на использование таких материалов в первом случае и сделать ссылку на первоисточник во втором.
  • Автор гарантирует, что материалы не содержат клеветнических высказываний и не посягают на права (включая без ограничений авторское право, права на патент или торговую марку) других лиц и не содержат материалы или инструкции, которые могут причинить вред или ущерб третьим лицам. Автор (каждый соавтор) гарантирует, что их публикация не приведет к разглашению секретных или конфиденциальных сведений (включая государственную тайну). Подтверждением этого является Экспертное заключение (см. перечень документов в Правила для авторов).
  • Издатель обязуется опубликовать материалы в случае получения статьей положительного решения редколлегии о публикации на основании внешнего рецензирования (см. Политика рецензирования).
  • В случае публикации статьи на английском языке в журнале «Radioelectronics and Communications Systems» (Издатель: Аллертон Пресс, США, распространитель Springer) автору (соавторам) выплачивается гонорар после выхода последнего номера журнала года, в котором опубликована данная статья.
  • Документ Согласие на публикацию, который подают русскоязычные авторы при подаче статьи в редакцию, является краткой формой данного договора, в котором изложены все ключевые моменты настоящего договора и наличие которого подтверждает согласие автора (соавторов) с ним. Аналогичным документом для англоязычных авторов является Copyright Transfer Agreement (CTA), предоставляемый издательством Allerton Press.
  • Настоящий Договор вступает в силу в момент принятия статьи к публикации. Если материалы не принимаются к публикации или до публикации в журнале автор (авторы) отозвал работу, настоящий Договор не приобретает (теряет) силу.