Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Мощные импульсные полупроводниковые источники миллиметрового диапазона длин волн в режиме внешней синхронизации

Леонид Вениаминович Касаткин, В. П. Рукин

Аннотация


Рассмотрены пути создания мощных импульсных полупроводниковых источников электромагнитных колебаний в миллиметровом диапазоне длин волн, где в короткоимпульсном режиме наиболее целесообразно применение кремниевых лавинно-пролетных диодов с оптимальными профилем легирования и геометрией. Показано, что оптимальная площадь полупроводниковой структуры диода, обеспечивающая максимальную мощность при допустимой температуре, зависит от параметров импульсного режима и величины последовательно включенного омического сопротивления. Рассмотрены методы суммирования мощностей диодов, эффективные в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана возможность построения мощных импульсных источников на кремниевых ЛПД с уровнями импульсной мощности сотни ватт в миллиметровом диапазоне.

Полный текст:

PDF

Литература


Карушкин Н. Ф. Стабилизация СВЧ-параметров импульсных ГЛПД / Н. Ф. Карушкин, Л. В. Касаткин // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. — 2000. — Вып. 1 (475). — С. 22–27.

Белоусов Н. П. Температурная зависимость характеристик импульсных лавинно-пролетных диодов / Белоусов Н. П., Новожилов В. В. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1987. — Вып. 3 (397). — С. 23–26.

Токовая стабилизация амплитудно-частотных характеристик синхронизированных импульсных ГЛПД в интервале температур / Н. П. Белоусов, А. В. Горбачев, Л. В. Касаткин, В. В. Новожилов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1989. — Вып. 4 (418). — С. 10–15.

Gibbons G. Transient temperature response of an avalanche diode / G. Gibbons // Solid State Electronics. — 1970. — Vol. 13, No. 6. — Р. 799–806.

Андреев В. С. Синхронизация как метод сложения мощностей генераторов / В. С. Андреев // Радиотехника и электроника. — 1982. — Т. 27, № 10. — С. 1091–1094.

Горбачев А. В. Каскадное суммирование мощностей ЛПД в режиме внешней синхронизации / А. В. Горбачев, Л. В. Касаткин // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1989. — Вып. 10 (424). — С. 22–27.

Горбачев А. В. Эквивалентная схема замещения высокочастотной цепи твердотельного стабилотронного суматора мощности / А. В. Горбачев, Л. В. Касаткин // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1989. — Вып. 9 (423). — С. 50–55.

Касаткин Л. В. Широкополосные импульсные генераторы СВЧ на ЛПД в режиме внешней синхронизации / Л. В. Касаткин // Радиоэлектроника. — 2002. — Т. 45, № 2. — С. 15–24. — (Известия вузов).

Chang K. Millimeter-wave power combining techniques / K. Chang, C. Sun // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — May 1983. — Vol. 31, No. 5. — Р. 91–107.

Ma Y. V-band high power IMPATT amplifier / Y. Ma, C. Sun, E. Nahaji // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. — May 1980. — Р. 73–74.

Yen H. A 63-W W-band injection locked pulsed solid-state transmitter / H. Yen, K. Chang // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — December 1981. — Vol. 29, No. 12. — P. 1292–1297.

1 kW peak, 300 W avg. IMPATT diode injection locked oscillator / C. Drubia, A. Nieber, G. Jerinic, A. Marinilli // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. — 1982. — Р. 126–128.

Moony W. Injection locking performance of a 41-GHz 10 W power combining amplifier / W. Moony, F. Bayuk // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — Feb., 1983. — Vol. 31, No. 2. — Р. 171–176.

Chang K. Power combining near 94 GHz / K. Chang, R. Ebert // IEEE Int. Solid-State Circuit Conf., Session X : Microwave Circuits. — 1980. — Р. 16–28.

Касаткин Л. В. Суммирование мощностей ЛПД в стабилотронах / Л. В. Касаткин, И. Д. Ладнич // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1982. — Вып. 3. — С. 17–23.

Твердотельные компоненты для перспективной радиоэлектронной аппаратуры ММ и субММ диапазонов длин волн (26,5...300 ГГц) / С. П. Ракитин, Н. Ф. Карушкин, Л. В. Касаткин, [и др.] / Microwave & Telecommunication Technology : 10th Int. Conf. CriMiCo. — 2000. — Р. 33–36.

Мощные высокоэффективные ЛПД трехсантиметрового диапазона на GaAs / В. М. Вальд-Перлов [и др.] // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1983. — Вып. 3. — С. 74–82.

Bauer T. A resonant-cap power combiner for two-terminal millimeter wave devices / T. Bauer, J. Freyer, M. Claassen // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — 1997. — Vol. 45, No. 1. — Р. 146–148.

Power consideration on IMPATT diode arrays with incomplete thermal isolation / H. Susuki, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — June 1980. — Vol. 28, No. 6. — Р. 632–638.

Wagner L. The effect of dissimilar IMPATT diodes on power combining efficiency / L. Wagner, R. Laton // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. — 1983. — Р. 489–490.




DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347005060014

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2017
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта