Определение параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки

Автор(и)

  • Н. А. Филинюк Винницкий государственный технический университет, Ukraine
  • Д. В. Гаврилов Винницкий государственный технический университет, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347004110093

Анотація

Предложен способ определения параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки, основанный на измерении коэффициента максимального устойчивого усиления транзистора при различных схемах его включения.

Посилання

Филинюк, Н. А. "Определение параметров эквивалентной схемы активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 26, № 7, С. 90–92, 1983.

Man, G. S. F. "A microwave model for the dual-Gate GaAs MESFET," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., June, 1981, Р. 43–45.

Маттей, Д. Л.; Янг, Л.; Джонс, Е. М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Пер. с англ. М.: Связь, 1971. 240 с.

Филинюк, Н. А.; Песков, С. Н.; Павлов, С. Н. "Определение параметров физической эквивалентной схемы высокочастотных транзисторов," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 25, № 12, С. 38–43, 1982.

Филинюк, Н. А. "Экспериментальное определение граничной частоты активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 30, № 12, С. 90–92, 1987.

Опубліковано

2004-11-09

Як цитувати

Филинюк, Н. А., & Гаврилов, Д. В. (2004). Определение параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 47(11), 71–75. https://doi.org/10.20535/S0021347004110093

Номер

Розділ

Оригінальні статті