DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347004110093


Определение параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки
Аннотация
Литература
Филинюк, Н. А. "Определение параметров эквивалентной схемы активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 26, № 7, С. 90–92, 1983.
Man, G. S. F. "A microwave model for the dual-Gate GaAs MESFET," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., June, 1981, Р. 43–45.
Маттей, Д. Л.; Янг, Л.; Джонс, Е. М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Пер. с англ. М.: Связь, 1971. 240 с.
Филинюк, Н. А.; Песков, С. Н.; Павлов, С. Н. "Определение параметров физической эквивалентной схемы высокочастотных транзисторов," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 25, № 12, С. 38–43, 1982.
Филинюк, Н. А. "Экспериментальное определение граничной частоты активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 30, № 12, С. 90–92, 1987.
Метрики статей
Metrics powered by PLOS ALM
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41