DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347004110093
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Определение параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки

Н. А. Филинюк, Д. В. Гаврилов

Аннотация


Предложен способ определения параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки, основанный на измерении коэффициента максимального устойчивого усиления транзистора при различных схемах его включения.

Полный текст:

PDF

Литература


Филинюк, Н. А. "Определение параметров эквивалентной схемы активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 26, № 7, С. 90–92, 1983.

Man, G. S. F. "A microwave model for the dual-Gate GaAs MESFET," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., June, 1981, Р. 43–45.

Маттей, Д. Л.; Янг, Л.; Джонс, Е. М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Пер. с англ. М.: Связь, 1971. 240 с.

Филинюк, Н. А.; Песков, С. Н.; Павлов, С. Н. "Определение параметров физической эквивалентной схемы высокочастотных транзисторов," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 25, № 12, С. 38–43, 1982.

Филинюк, Н. А. "Экспериментальное определение граничной частоты активной области кристалла полевого транзистора," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 30, № 12, С. 90–92, 1987.


Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM


Bookmark and Share


© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2019
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта