Расчет ВАХ одноэлектронного транзистора с дискретным спектром энергии в островке

Автор(и)

  • В. И. Каневский Национальный университет Чунгбук, Korea, Republic of
  • К. Н. Пак Национальный университет Чунгбук, Korea, Republic of

DOI:

https://doi.org/10.20535/S0021347004040028

Анотація

Представлены результаты расчета ВАХ одноэлектронного транзистора с дискретным спектром энергий в островке на основе расширенной ортодоксальной теории. Расчет кривых выполнен с использованием процедуры Монте-Карло. Модель транзистора описывает транспорт электронов и дырок в приборе. Численные результаты показывают, что тонкая структура ВАХ сильно зависит от плотности состояний и расстояния между уровнями энергий носителей в островке.

Посилання

Likharev, K. K. "Correlated discrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions," IBM J. Res. Develop., v.32, n.1, p.144-158, 1988. DOI: https://doi.org/10.1147/rd.321.0144.

Fulton, T. A.; Dolan, G. J. "Observation of single-electron charging effects in small tunnel junctions," Phys. Rev. Lett., v.59, n.1, p.109-112, 1987. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.59.109.

Каневский, В. И.; Пак, К. Н. "Расчет ВАХ одноэлектронного транзистора с непрерывным спектром энергий в островке," Известия вузов. Радиоэлектроника, Т. 47, № 2, С. 27-34, 2004. DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347004020049.

Beenakker, C. W. J. "Theory of Coulomb-blockade oscillations in the conductance of a quantum dot," Phys. Rev. B, v.44, n.4, p.1646-1656, 1991. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.1646.

Kouwenhoven, L. P.; Johnson, A. T.; van der Vaart, N. C.; Harmans, C. J. P. M.; Foxon, C. T. "Quantized current in a quantum-dot turnstile using oscillating tunnel barriers," Phys. Rev. Lett., v.67, n.12, p.1626-1629, 1991. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.67.1626.

Ingold, G.-L.; Nazarov, Y. V. "Charge tunneling rates in ultrasmall junctions," in Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures, Vol. 2. N. Y., London: Plenum Press and NATO Scientific Affairs Division, 1992, р.21-107. DOI: https://doi.org/10.1007/978-1-4757-2166-9_2.

Duke, C. B. "Tunneling in Solids," Solid State Phys., Suppl. 10, p. 450-467, 1969.

Bakhvalov, N. S.; Kazacha, G. S.; Likharev, K. K.; Serdyukova, S. L. "Single-electron solitons in one-dimensional tunnel structures," JETP, Vol. 68, No. 3, P. 581-587, 1989. URI: http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/68/3/p581?a=list.

Shorokhov, V. V.; Johansson, P.; Soldatov, E. S. "Simulation of characteristics of a molecular single-electron tunneling transistor with a discrete energy spectrum of the central electrode," J. Appl. Phys., Vol. 91, No. 5, P. 3049–3053, 2002. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1435832.

Averin, D. V.; Korotkov, A. N. "Influence of discrete energy spectrum on correlated single-electron tunneling via a mezoscopically small metal granule," JETP, Vol. 70, No. 5, P. 937–943, 1990. URI: http://jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/70/5/p937?a=list.

Опубліковано

2004-04-02

Як цитувати

Каневский, В. И., & Пак, К. Н. (2004). Расчет ВАХ одноэлектронного транзистора с дискретным спектром энергии в островке. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 47(4), 12–21. https://doi.org/10.20535/S0021347004040028

Номер

Розділ

Оригінальні статті