DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347004030070
Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Информативность параметра «энергия вторичного пробоя» мощных переключательных транзисторов

Н. Г. Воробьев

Аннотация


Обоснована необходимость оценки величины энергии вторичного пробоя переключательных транзисторов. Рассмотрены вопросы повышения надежности мощных ключевых устройств, создаваемых на биполярных транзисторах.

Полный текст:

PDF

Литература


Jovanovic, M. M.; Lee, F. C.; Chen, D. Y. Nondestructive characterization of RBSOA of high-power bipolar transistors. IEEE Trans. Aerosp. Electron. Syst., v.AES-22, n.2, Р.138-145, 1986. DOI: https://doi.org/10.1109/TAES.1986.310748.

Колесников, В. Г.; Никифоров, В. И.; Сыноров, В. Ф.; и др. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. pадио, 1973. 336 с.


Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2018
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта