Открытый доступ Открытый доступ  Ограниченный доступ Доступ по подписке

Информативность параметра «энергия вторичного пробоя» мощных переключательных транзисторов

Н. Г. Воробьев

Аннотация


Обоснована необходимость оценки величины энергии вторичного пробоя переключательных транзисторов. Рассмотрены вопросы повышения надежности мощных ключевых устройств, создаваемых на биполярных транзисторах.

Полный текст:

PDF

Литература


Jovanovic, M. M.; Lee, F. C.; Chen, D. Y. Nondestructive characterization of RBSOA of high-power bipolar transistors. IEEE Trans. Aerosp. Electron. Syst., v.AES-22, n.2, Р.138-145, 1986. DOI: https://doi.org/10.1109/TAES.1986.310748.

Колесников, В. Г.; Никифоров, В. И.; Сыноров, В. Ф.; и др. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов. pадио, 1973. 336 с.




DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347004030070

Метрики статей

Загрузка метрик ...

Metrics powered by PLOS ALM





© Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2004–2018
При копировании активная ссылка на материал обязательна
ISSN 2307-6011 (Online), ISSN 0021-3470 (Print)
т./ф. +38044 204-82-31, 204-90-41
Условия использования сайта